Definition & Meaning | German word HALBLEITERN


HALBLEITERN

Definitions of HALBLEITERN

  1. inflection of Halbleiter

Number of letters

11

Is palindrome

No

18
ALB
BL
EI
ER
ERN
HA
LEI

2

2

AB


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Examples of Using HALBLEITERN in a Sentence

  • Das Verhalten wurde 1874 von Ferdinand Braun in Punktkontakten auf Halbleitern (Bleisulfid) entdeckt.
  • Da sich die Grenzbereiche der drei Gruppen überschneiden, ist der negative Temperaturkoeffizient des spezifischen Widerstandes ein weiteres wichtiges Merkmal von Halbleitern, das heißt, ihre Leitfähigkeit nimmt mit steigender Temperatur zu, sie sind sogenannte Heißleiter.
  • Nach ersten Untersuchungen an Wolfram galt sein Interesse vor allem Oberflächeneffekten an Halbleitern wie Silicium und Germanium, zu deren besserem Verständnis er wesentliche Beiträge lieferte.
  • Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
  • Diese auf Halbleitern basierenden Schaltungen nutzen viele elektronische Bauelemente, wie sie auch in normalen elektronischen Schaltungen verwendet werden, beispielsweise Transistoren, Kondensatoren, Dioden und Widerstände.
  • Die Temperaturabhängigkeit der Viskosität von Flüssigkeiten, der Ladungsträgerdichte bei Eigenleitung in Halbleitern sowie der Diffusionskoeffizienten in Feststoffen wird ebenfalls durch eine Arrhenius-Gleichung beschrieben.
  • Grundlage für den Peltier-Effekt ist der Kontakt von zwei Halbleitern, die ein unterschiedliches Energieniveau (entweder p- oder n-leitend) der Leitungsbänder besitzen.
  • Hyperschall entsteht, wenn freie Elektronen auf Materie treffen und atomare Eigenschwingungen anregen, auch in Halbleitern, oder aus der Wärmebewegung der Atome in einem Kristall.
  • Er leistete Forschungsarbeit über elektrische Rauschmechanismen (Schrotrauschen), die Raumladung, speziell in Elektronenröhren, sowie über die Sperrschicht in Halbleitern, die für die Entwicklung von Kupferoxydul-Gleichrichtern und Transistoren von Bedeutung waren.
  • Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.
  • Bei Halbleitern ändert sich mit der Temperatur die Ladungsträgerdichte stark (exponentiell), dagegen ist die Temperaturabhängigkeit der Mobilität klein.
  • Heißleiter (NTC) verringern ihren Widerstand bei Temperaturerhöhung, sie basieren auf Metalloxiden oder Halbleitern und heißen, wenn sie zu Messzwecken verwendet werden, auch Thermistor.
  • Bei Halbleitern lässt sich die Stärke des Effekts zudem leicht über die Orientierung des Einkristalls, das heißt, in welcher Richtung der Strom das Bauelement durchfließt, und der Dotierung mit Fremdatomen beeinflussen.
  • Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen werden zur schnellen Identifikation von typischen elektrischen Bauelementen eingesetzt, die auf Halbleitern basieren.
  • Mitsubishi Electric plant den Bau einer Chipfabrik (Stand 2023), um die steigende Nachfrage nach Halbleitern für Elektrofahrzeuge zu bedienen.
  • Im Gegensatz dazu führen die Störstellen in dotierten Halbleitern (Störstellenleitern) zu einer Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit, hier dominiert die Störstellenleitung.
  • Ein Halbleiterdetektor ist ein Strahlungs- oder Teilchendetektor, bei dem spezielle elektrische Eigenschaften von Halbleitern ausgenutzt werden, um ionisierende Strahlung nachzuweisen.
  • 1958 wurde die JETEC in zwei Gremien aufgespaltet und in Joint Electron Devices Engineering Councils (JEDEC) umbenannt, wobei sich das eine als JEDEC Tube Council mit den herkömmlichen Röhren beschäftigte und das andere als JEDEC Semiconductor Council mit Halbleitern.
  • Untersucht wurden im Einzelnen die Unterkühlung und schnelle Kristallisation von Metallen und Metalllegierungen, die Diffusion bei flüssigen Metallen, Metalllegierungen und Halbleitern (Messung der Diffusionsgeschwindigkeit), die Vermischung von flüssigen Metallen in einem Festkörper (Sinterexperiment) sowie thermophysikalische Eigenschaften unterkühlter Flüssigkeiten.
  • Bei der Auslegung der Kühlung von Halbleitern oder anderen Bauelementen in elektronischen Schaltungen geht der Wärmewiderstand des Kühlkörpers, des Bauteil-Gehäuses und der Montageart ein.


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